| 摘要 |
本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI基板的制造方法，在该SOI基板中，底基板由玻璃基板那样的耐热性低的基板构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体基板和底基板贴在一起。透过进行加热处理来分割半导体基板，可以获得固定有从半导体基板分离的半导体层的底基板。透过对该半导体层照射雷射光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射雷射光束之后，透过蚀刻等来减薄半导体层。透过以上方法，可以制造SOI基板，在该SOI基板中，在底基板上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。 |
