氮化镓基板及氮化镓层之形成方法

摘要

本发明提供一种载子浓度高且裂痕发生率低之氮化镓基板及氮化镓层之形成方法，其系形成载子浓度为1×10#sP!17#eP! cm#sP!-3#eP!以上之氮化镓层52。首先，于基板50上形成包含n型掺杂物之氮化镓层51。其次，藉由加热基板50上所形成之氮化镓层51，形成氮化镓层52。