非挥发性记忆体元件之储存以及其制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体元件之储存装置以及其制造方法。实施例之储存装置可包括底电极、在底电极上的第一穿隧绝缘层、在第一穿隧绝缘层上的中电极、在中电极层上的第二穿隧绝缘层和在第二穿隧绝缘层上的顶电极。第一穿隧绝缘层和第二穿隧绝缘层可由厚度为大约数埃(　)至大约数十埃(　)之金属氧化物制成且储存装置可被制造成具有大约数十奈米之宽度。因此，可以实现多位元储存、增加积集度、提高操作速度以及降低功率消耗。