发明名称 | 半导体装置及其之制造方法 | ||
摘要 | 本发明系提供半导体装置及其制造方法,该半导体装置系藉由将熔丝元件层积在阻抗体上部,且以使熔丝元件之被雷射切断的区域下之阻抗体呈凹形状的方式,而形成小面积且切断熔丝元件时不会对阻抗体造成损伤、各元件间产生的接触电阻等亦小、安定的半导体装置。 | ||
申请公布号 | TW200849479 | 申请公布日期 | 2008.12.16 |
申请号 | TW097104651 | 申请日期 | 2008.02.05 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 北岛裕一郎 |
分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |