发明名称 半导体装置及其之制造方法
摘要 本发明系提供半导体装置及其制造方法,该半导体装置系藉由将熔丝元件层积在阻抗体上部,且以使熔丝元件之被雷射切断的区域下之阻抗体呈凹形状的方式,而形成小面积且切断熔丝元件时不会对阻抗体造成损伤、各元件间产生的接触电阻等亦小、安定的半导体装置。
申请公布号 TW200849479 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097104651 申请日期 2008.02.05
申请人 精工电子有限公司 发明人 北岛裕一郎
分类号 H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01) 主分类号 H01L21/822(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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