| 摘要 |
本发明的目的是提供一种可以稳定地抽拉完全没有位错、并具有良好晶体形状之单晶的单晶制造方法。该方法包括驱动晶体驱动装置14使晶种30浸在矽熔体3中，及控制晶体驱动装置14和坩埚驱动装置15在预定条件下以抽拉晶种。在此抽拉步骤中，驱动一水平磁场装置16以将磁场以水平方向施加到坩埚4中之矽熔体3的内部。水平磁场装置16将所施加磁场的磁场中心线1固定在距离矽熔体3之液面3a一固定距离的位置上。更具体而言，通过水平磁场位置调整装置19预先在垂直方向进行水平磁场装置16的位置调整，使所施加磁场的磁场轴1固定在一固定距离的位置上，该位置系低于矽熔体3之液面50毫米以上、且等于或高于收尾时残留矽熔体液面深度L。 |
