具有载子接面电晶体之相变材料（ＰＣＭ）记忆体装置、及用于制造此装置之方法

摘要

本发明说明用于制造高度紧密相变材料(PCM)记忆体装置之方法。该方法可以包括在基板上形成双载子接面电晶体(BJT)结构，此包括在基板上产生BJT结构的基极、以及基板之相对基极之顶上产生BJT结构的射极。然后，可在BJT结构的射极上建构加热元件，其中，该加热元件包括此种材料，其在当被提供来自射极的电流时会产生热。然后，可在BJT结构之相对加热元件上建构相变材料(PCM)单元。