非挥发性半导体记忆元件及其制造方法

摘要

本发明之示范性具体实施例系有关于一非挥发性半导体记忆元件及其制造方法。一半导体元件其包括一隔离层其自一基板突出、一间隔件、一隧道绝缘层、一浮动闸、一介电层图案及一控制闸。在该隔离层之一突出部分的一侧壁上可形成该间隔件。在相邻隔离层之间的该基板上可形成该隧道绝缘层。在该隧道绝缘层上可形成该浮动闸。该浮动闸与该间隔件接触并具有一宽度其系自一下部分朝向一上部分逐渐地增加。在该浮动闸上可连续地形成该介电层图案及该控制闸。