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发明名称
A HIGH DENSITY MIM CAPACITOR WITH REDUCED VOLTAGE DEPENDENCE IN SEMICONDUCTOR DIES
摘要
申请公布号
KR100873542(B1)
申请公布日期
2008.12.11
申请号
KR20057018026
申请日期
2005.09.26
申请人
发明人
分类号
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/08
主分类号
H01L27/04
代理机构
代理人
主权项
地址
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