| 发明名称 |
Gegenstand umfassend ein Silizium enthaltendes Substrat und eine Hafniumoxid enthaltende Sperrschicht an der Oberfläche |
| 摘要 |
<p>A top barrier layer for a silicon containing substrate which inhibits the formation of gaseous species of silicon when exposed to a high temperature aqueous environment and comprises at least 65 mol % hafnium oxide.</p> |
| 申请公布号 |
DE602005003866(T2) |
申请公布日期 |
2008.12.11 |
| 申请号 |
DE20056003866T |
申请日期 |
2005.04.15 |
| 申请人 |
UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION |
发明人 |
BHATIA, TANIA;SUN, ELLEN Y |
| 分类号 |
C04B41/87;B01J19/02;B32B18/00;C04B41/50;C04B41/52;C04B41/89;C23C4/10;C23C28/00;C23C30/00;F01D5/28;F02C7/00;H01L21/31;H01L21/469;H01L21/8238;H01L21/8242 |
主分类号 |
C04B41/87 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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