| 发明名称 | 固态成像装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种固态成像装置及其制作方法。该固态成像装置包括光电转换单元、晶体管和隔离光电转换单元和晶体管的元件隔离区。光电转换单元和晶体管构成像素。元件隔离区由导电类型与晶体管的源极区和漏极区的导电类型相反的半导体区形成。晶体管的栅电极的部分朝向元件隔离区侧突出超出晶体管的有源区。具有与晶体管的栅电极的栅极绝缘膜的厚度基本相同厚度的绝缘膜，形成在元件隔离区上从元件隔离区的位于晶体管的栅电极之下的部分到与位于晶体管的栅电极之下的部分连续的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101320744A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200810110368.8 | 申请日期 | 2008.06.04 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 糸长总一郎 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种固态成像装置，包括：光电转换单元；晶体管；及隔离所述光电转换单元和所述晶体管的元件隔离区，其中所述光电转换单元和所述晶体管构成像素，其中所述元件隔离区由导电类型与所述晶体管的源极区和漏极区的导电类型相反的半导体区形成，其中所述晶体管的栅电极的一部分朝向所述元件隔离区一侧突出超出所述晶体管的有源区，以及，其中具有与所述晶体管的栅电极的栅极绝缘膜的厚度基本相同厚度的绝缘膜，形成在所述元件隔离区上从所述元件隔离区的位于所述晶体管的栅电极之下的部分到与所述位于所述晶体管的栅电极之下的部分连续的部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||