| 发明名称 | 制造金属氧化物半导体晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种制造应变硅PMOS或CMOS晶体管的方法，其中，通过使具有至少一选自烃基、烃氧基、羰基、醛基、羧基、酯基、及卤基所组成组的取代基的硅烷与氨气反应以形成压缩应力膜，或是将已知的压缩应力膜注入氟原子、氧原子、或碳原子，以改善负偏压温度不稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101320691A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200710108878.7 | 申请日期 | 2007.06.05 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;黄建中;陈哲明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造P型金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供半导体基底；形成栅极结构、及源极/漏极区域于该半导体基底上；提供硅烷，该硅烷具有至少一取代基，该取代基选自烃基、烃氧基、羰基、醛基、羧基、酯基、及卤基所组成的组的一种；提供氨气；及使该硅烷与该氨气反应，以形成压缩应力膜以覆盖于该栅极结构与该源极/漏极区域表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||