| 发明名称 | 通过倾斜式预非晶化而减少受应变的晶体管中的晶体缺陷的技术 | ||
| 摘要 | 通过基于受应力的上覆材料(209，211，309，311，319S)而进行倾斜式非晶化注入(tilted amorphization implantation)(208，308P，308N)以及随后的再结晶，提供一种高度有效的应变引发机构(strain－inducing mechanism)。该倾斜式非晶化注入(208，308P，308N)在再结晶工艺期间可导致缺陷比率(defect rate)明显减少，从而实质上减少精密晶体管元件(200，300N，300P)中的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101322228A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200680045160.1 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·亨奇尔;A·魏;M·海因策;P·亚沃尔卡 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：通过倾斜式注入工艺(208，308P，308N)，在初始结晶半导体层(203，303)中，形成邻近于形成于该半导体层(203，303)上方的栅极电极(204，304)且在该栅极电极下方延伸的实质上非晶化区域(212，312)；形成受应力的层(209，309)，其至少在该半导体层(203，303)的部分的上方具有指定本征应力以便将应力转移到该半导体层(203，303)内；以及在有该受应力的层(209，309)的情形下，通过进行热处理(223)，使该实质上非晶化区域(212，312)再结晶。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||