| 发明名称 | 低电阻电极和包括低电阻电极的化合物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。 | ||
| 申请公布号 | CN100442548C | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200410098366.3 | 申请日期 | 2004.12.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;光州科学技术院 | 发明人 | 郭准燮;成泰连;赵济熙;宋俊午;林东皙;金显秀 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种低电阻电极，其沉积在化合物半导体发光器件的p型半导体层上，该化合物半导体发光器件包括n型半导体层、有源层和该p型半导体层，所述低电阻电极包括：反射电极，其设置在所述p型半导体层上并且反射从所述有源层发出的光；和凝聚防止电极，其设置在所述反射电极层上以便防止在退火处理中产生所述反射电极层的凝聚，其中，所述凝聚防止电极和所述p型半导体层的表面能间的差异小于所述反射电极和所述p型半导体层的表面能间的差异。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||