一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法

摘要

本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝－无机络合物介质层－铜(Al－Inorganic complexlayer－Cu)，二端的金属层做电极。其中的无机络合物介质层由预先制备的几十纳米厚的铜膜与硫氰酸盐乙醇溶液反应制备获得，然后再经过热退火处理。本发明制备的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件二种状态的阻值比为10⁵～10⁷，可作为一次写入多次读取电存储器件(WORM)使用。此外，这种基于无机络合物介质层的薄膜器件也可以作为过电压保护器使用。

主权项

1、一种一次写入多次读取的电存储器件，其特征在于该器件的结构组成依次为：铝底电极、无机络合物介质层、铜顶电极；其中的铝底电极厚度为200～400纳米，铜顶电极的厚度为200～400纳米；中间的无机络合物介质层由预先制备的厚度为10～60纳米的铜膜与硫氰酸盐的乙醇溶液反应，再经过乙醇溶剂清洗，干燥以及热退火处理等工艺步骤制备获得。