| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif (100) de mesure de résistivité rhoc d'une interface entre un semi-conducteur (104) et un métal (119), comportant au moins :- une couche diélectrique (102),- au moins un élément (104), à base du semi-conducteur, disposé sur la couche diélectrique, de forme sensiblement rectangulaire, ayant une face de longueur L et de largeur W en contact avec la couche diélectrique et ayant une épaisseur t,- au moins deux portions d'interface (119) à base du métal ou d'un alliage dudit semi-conducteur et dudit métal,chacune de deux faces opposées de l'élément semi-conducteur, de surface égale à t x W et perpendiculaires à la face en contact avec la couche diélectrique, étant complètement recouverte par une des portions d'interface.</p> |
