| 发明名称 | 一种存储介质材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种存储介质材料，所述存储介质材料包括单质锑及锑材料经适当掺杂后得到的组份，掺杂的杂质含量原子比少于百分之二十。该存储介质材料的特点在于基于该材料的存储器能够在电信号的编程下实现高电阻和低电阻之间的高速的可逆转换，从而实现数据的存储。 | ||
| 申请公布号 | CN101315970A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810040850.9 | 申请日期 | 2008.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种存储介质材料，用于制备电阻转换存储器，其特征在于：该存储介质材料包括锑材料及经掺杂后得到的组份。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||