| 发明名称 | 由双面施予晶片生成半导体材料薄层的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于由施予晶片来生成选自半导体材料的材料薄层的方法，包括下列连续的步骤：(a)以和薄层厚度基本上一致的深度在晶片内其第一表面之下形成第一弱化区，(b)在第一弱化区的表面(level)上从晶片上分离第一薄层，该第一薄层作为晶片的一部分，位于邻接于第一表面的第一弱化区一侧，(c)以和薄层厚度基本上一致的深度在晶片内其第二表面之下形成第二弱化区，(d)在第二弱化区的表面(level)上从晶片上分离第二薄层，该第二薄层作为晶片的一部分，位于邻接于第二表面的第一弱化区一侧。这些步骤依次进行，没有中间的再循环步骤，从而省略了再循环操作。以及该方法特别是在绝缘体上半导体结构的生产中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN100440478C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200480023063.3 | 申请日期 | 2004.08.11 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | C·马勒维尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于由施予晶片来生成选自半导体材料的材料薄层的方法，其特征在于其包括下列连续的步骤，没有中间的再循环步骤，依次为：(a)以和薄层厚度一致的深度在施予晶片内其第一表面之下形成第一弱化区，(b)在第一弱化区的表面上从施予晶片上分离第一薄层，该第一薄层作为施予晶片的一部分，位于邻接于第一表面的第一弱化区一侧，(c)以和薄层厚度一致的深度在施予晶片内其第二表面之下形成第二弱化区，以及(d)在第二弱化区的表面上从施予晶片上分离第二薄层，该第二薄层作为施予晶片的一部分，位于邻接于第二表面的第二弱化区一侧。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||