| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及其制造方法，在芯片尺寸封装的半导体装置中，为得到由缝隙孔(80)将半导体衬底(60)分离的结构，而需要由树脂层(78)在同一平面支承固定，但由于和绝缘膜(74)，且具有均匀的厚度，故存在还不能得到足够的强度的实用上的大的问题点。本发明的半导体装置具有，半导体衬底，其具有第一区域(12)及第二区域(13、14)；切割槽(30)，其将第一区域和第二区域分离；阶梯部分(31)，其设于与切割槽邻接的半导体衬底(10)的第一区域及第二区域表面，且使半导体衬底露出；树脂层，其包括所述阶梯部分在半导体衬底的所述第一区域及第二区域表面一体地支承所述半导体衬底，提高阶梯部分和树脂层(34)的密封度。 | ||
| 申请公布号 | CN100440495C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200610009256.4 | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 安藤守 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/482(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有第一区域及第二区域；电路元件及多个电极，其设于所述第一区域，该多个电极与所述电路元件连接；外部连接用电极，其具有被埋入所述第二区域的金属贯通电极；切割槽，其将所述第一区域和第二区域的所述半导体衬底分离；连接装置，其用于将所述电极和所述外部连接用电极电连接；阶梯部分，其设于与所述切割槽邻接的所述半导体衬底的所述第一区域及第二区域表面，露出所述半导体衬底；树脂层，其包括所述阶梯部分且在所述半导体衬底的所述第一区域及第二区域表面一体地支承所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||