| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包括：硅衬底，布置在硅衬底上的栅绝缘膜，布置在栅绝缘膜上的栅电极，以及形成在栅电极两侧上的衬底中的源/漏区。该半导体器件的特征在于：栅电极具有由金属M1的硅化物构成的第一硅化物层状区、和布置在该第一硅化物层状区上的第二硅化物层状区，该第二硅化物层状区由与金属M1相同金属的硅化物构成且比第一硅化物层状区的电阻率更低。 | ||
| 申请公布号 | CN101317272A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200680044439.8 | 申请日期 | 2006.10.18 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 高桥健介 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;郇春艳 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包含：硅衬底；硅衬底上的栅绝缘膜；栅绝缘膜上的栅电极；和在栅电极两侧上的衬底中形成的源/漏区，其中该栅电极包括：由金属M1的硅化物形成的第一硅化物层状区；以及第一硅化物层状区上的第二硅化物层状区，该第二硅化物层状区由与金属M1相同的金属的硅化物形成，且比第一硅化物层状区的电阻率更低。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||