| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件包括：布线层；层叠在上述布线层上的绝缘层；从上述绝缘层的表面向下挖掘该绝缘层形成的沟槽；沿上述沟槽的内面形成的膜状的下部电极；沿上述下部电极的表面形成的电容性膜；和在夹持上述电容性膜的状态下与上述下部电极对置的上述电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101315932A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200810109329.6 | 申请日期 | 2008.05.28 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 荫山聪 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：布线层；层叠在上述布线层上的绝缘层；从上述绝缘层的表面向下挖掘该绝缘层所形成的沟槽；沿上述沟槽的内面形成的膜状的下部电极；沿上述下部电极的表面形成的电容性膜；和夹持上述电容性膜与上述下部电极对置的上部电极。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||