发明名称 |
一种FeS<SUB>2</SUB>/In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>复合膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种FeS<SUB>2</SUB>/In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>复合膜的制备方法。采用ITO膜导电玻璃基片,在摩尔浓度比为1∶(5~6)的水溶液中电沉积预制膜,经130~180℃氧化处理得到多孔形态的Fe<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>/In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>复合先驱体膜,再在40~80kPa硫蒸气名义压力气氛中经400℃硫化处理10~30h,使复合先驱体膜转变成FeS<SUB>2</SUB>/In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>复合膜。本发明在电沉积后引入氧化工艺,促进了热硫化中的FeS<SUB>2</SUB>反应,直接由基底膜硫化形成In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>,省去了单独合成In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>的工艺过程,FeS<SUB>2</SUB>/In<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>两相界面结合能够得到有效保证,复合膜与基片之间附着牢固可靠。 |
申请公布号 |
CN100440549C |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200610049832.8 |
申请日期 |
2006.03.14 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
孟亮;刘艳辉 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
代理机构 |
杭州中成专利事务所有限公司 |
代理人 |
冯子玲 |
主权项 |
1.一种FeS2/In2S3复合膜的制备方法,其特征在于下述步骤:(1)采用载膜基片为In2O3∶SnO2=9∶1的ITO膜导电玻璃,先后在丙酮和乙醇溶液中超声波清洗各20min后,再用去离子水冲洗;(2)用载膜基片做阴极,Pt片做阳极,在FeSO4和Na2S2O3水溶液中电沉积制取预制膜;(3)将预制膜在环境气氛中进行氧化处理,得到多孔形态的Fe3O4/In2O3复合先驱体膜;(4)将先驱体膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中,封装前通过反复5次充氩一抽真空过程置换残余气体,封装时抽真空至0.01Pa;(5)将封装后的先驱体膜在400℃等温炉中进行硫化处理,得到FeS2/In2S3复合膜。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区玉古路浙大玉泉校区材化学院 |