| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。 | ||
| 申请公布号 | CN100440533C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200610073541.2 | 申请日期 | 2006.04.10 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 天清宗山;志贺俊彦;国井彻郎;奥友希 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01) | 主分类号 | H01L29/43(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;廖凌玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括具有以GaAs为主材料的化合物半导体层的基板、和在上述化合物半导体层上形成的电极，上述电极具有与上述化合物半导体层接触的TaNx层，氮含有率x＜0.8。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||