| 发明名称 | 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜 | ||
| 摘要 | 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100439420C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200410069858.X | 申请日期 | 2004.07.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李相均;宣钟白 |
| 分类号 | C08G77/48(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | C08G77/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 贾静环;宋莉 |
| 主权项 | 1.一种硅氧烷基树脂，所述硅氧烷基树脂是在酸或碱性催化剂和水存在下，在有机溶剂中通过水解和缩聚通式1的第一单体和通式2的第二单体制备的：通式1<img file="C2004100698580002C1.GIF" wi="1222" he="338" />其中，R<sub>1</sub>是氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基或C<sub>6-15</sub>芳基；X<sub>1</sub>，X<sub>2</sub>和X<sub>3</sub>各自独立地是C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-10</sub>烷氧基或卤素原子，条件是它们中的至少一个可水解；m是0-10的整数；和p是3-8的整数，和通式2(R<sub>2</sub>)<sub>4-a</sub>Ge(X<sub>4</sub>)<sub>a</sub>其中，R<sub>2</sub>是氢原子、C<sub>1-3</sub>烷基或C<sub>6-15</sub>芳基；X<sub>4</sub>是C<sub>1-10</sub>烷氧基或卤素原子；和a是1-4的整数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||