发明名称 平面显示装置
摘要 本发明涉及的平面显示装置,具备:多个显示像素、多个薄膜晶体管(TFT)、多个栅极、多个源极、多个存储电容元件、多个第1存储电容电极、以及多个第2存储电容电极,在各第1存储电容电极上施加的第1补偿电压和在各第2存储电容电极上施加的第2补偿电压具有相互不同的电压极性,同一栅极上连接的多个薄膜晶体管中,在第1存储电容电极上的薄膜晶体管上设置的源极端子上,通过源极施加的图像信号电压,与通过连接于第2存储电容电极上的薄膜晶体管上设置的源极端子上,通过源极施加的图像信号电压,具有互不相同的电压极性。
申请公布号 CN100440296C 申请公布日期 2008.12.03
申请号 CN200380102243.6 申请日期 2003.10.28
申请人 东芝松下显示技术有限公司 发明人 富谷央
分类号 G09G3/36(2006.01);G02F1/133(2006.01) 主分类号 G09G3/36(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 沈昭坤
主权项 1.一种平面显示装置,其特征在于,具备配置成矩阵状的多个显示像素、为驱动各显示像素分别设置的多个薄膜晶体管、分别保持规定的间隔沿着水平方向配置,使得与设置于各薄膜晶体管的栅极端子连接的多个栅极、分别保持规定的间隔沿着垂直方向配置,使得与设置于各薄膜晶体管的源极端子连接的多个源极、分别连接于各薄膜晶体管上设置的漏极端子和各显示像素的多个存储电容元件、分别保持规定的间隔沿着水平方向配置,以便通过所述存储电容元件与所述多个显示像素的一部分连接的多个第1存储电容电极、以及分别保持规定的间隔沿着水平方向配置,以便通过所述存储电容元件与所述多个显示像素的其他部分连接的多个第2存储电容电极,在各第1存储电容电极上施加的第1补偿电压和在各第2存储电容电极上施加的第2补偿电压,具有相互不同的电压极性,同一栅极上连接的多个薄膜晶体管中,通过所述源极向设置在第1组所述薄膜晶体管上的所述源极端子施加的图像信号电压、与通过所述源极向设置在第2组所述薄膜晶体管上的所述源极端子施加的图像信号电压,具有互不相同的电压极性,所述第1组薄膜晶体管是通过所述存储电容元件连接于所述第1存储电容电极上的所述薄膜晶体管,所述第2组薄膜晶体管是通过所述存储电容元件连接于所述第2存储电容电极上的所述薄膜晶体管。
地址 日本东京
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