| 发明名称 | 制造多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过使用单晶片技术的化学气相沉积(CVD)过程在单个腔室中沉积多晶硅薄膜的方法。具体而言，通过使用SiH<SUB>4</SUB>(硅烷)气体作为硅源气体并将薄膜沉积压力保持在一定水平以控制细小晶粒，使多晶硅薄膜的细小晶体结构形成为柱状，以提高电特性的均一性，从而防止薄膜特性变差。 | ||
| 申请公布号 | CN101317249A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200680044765.9 | 申请日期 | 2006.11.02 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 严枰镕 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟守期;杨勇 |
| 主权项 | 1.一种通过使用单晶片技术的化学气相沉积(CVD)过程制造多晶硅薄膜的方法，其中在CVD过程中，使用SiH4(硅烷)气体作为硅源气体，并且过程温度设定在640℃至770℃之间。 | ||
| 地址 | 韩国忠清南道 | ||