| 发明名称 | 晶体管结构及其制造方法和操作该晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 增强型场效应晶体管，其中至少一部分晶体管结构可以是基本透明的。该晶体管的一个变型包括沟道层，其包括选自ZnO、SnO<SUB>2</SUB>或者In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>中的基本绝缘的、基本透明的材料。包括基本透明材料的栅绝缘层位于与沟道层相邻，由此限定了沟道层/栅绝缘层界面。该晶体管的第二变型包括沟道层，其包括选自基本绝缘的ZnO、SnO<SUB>2</SUB>或In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的基本透明的材料，该基本绝缘的ZnO、SnO<SUB>2</SUB>或In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>是通过退火工艺产生的。还公开了包括该晶体管的器件和用于制造该晶体管的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100440540C | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN03811678.2 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 俄勒冈州，由高等教育州委员会代表俄勒冈州立大学 | 发明人 | 约翰·F·沃格三世;兰迪·L·霍夫曼 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：沟道层，其包括选自ZnO、SnO2或者In2O3中的绝缘的、透明的材料，该ZnO、SnO2或者In2O3是通过退火工艺生产的；栅绝缘层，其包括透明的材料，并且位于与沟道层相邻，由此限定了沟道层/栅绝缘层界面；源极，其能够将电子注入到沟道层中，用于在沟道层/栅绝缘层界面处进行积累；和漏极，其能够从沟道层中抽取电子；其中该场效应晶体管被配置用于增强型操作。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈 | ||