半导体单结晶之制造方法

摘要

本发明的缘由是解决伴随着结晶大口径化所发生的问题，并可达成产能高、无结晶起因之微粒(crystal originated particle；COP)的半导体单结晶的拉晶成长。本发明的解决手段是以引入填隙型点缺陷优势(I-rich)区的条件进行半导体单结晶10的拉晶成长之时，将冷却器20配置于已从熔液5拉起的半导体单结晶10的周围，并一面使用冷却器20对半导体单结晶10进行冷却、一面将磁场施加于熔液5，而以半导体单结晶10的拉晶速度V为0.4mm/min以上的条件，进行半导体单结晶10的拉晶。