用于高Ｋ闸极介电堆叠层之具有改善介电可靠度及低电荷捕捉特性的金属闸极

摘要

提供一种可靠性较佳(即，较低的电荷捕陷和闸极漏电流劣变)的多层闸极堆叠。此多层闸极堆叠包括，从底部到顶部，一金属含氮层，位在一高k闸极介电质之一表面上；及一含矽导体，直接位在该金属含氮层之一表面上。利用金属与氮之组成比例小于1.1的金属含氮层可达到改善多层闸极堆叠可靠性的目的。此多层闸极堆叠可作为互补金氧半导体之一元件来使用。此外，也提供一种制造此多层闸极堆叠的方法，其中利用改变溅镀制程的条件来控制所溅镀沉积而成之层内的金属与氮的比例。