利用矽的局部氧化技术制造的双闸极结构

摘要

本发明涉及一种沟道型半导体功率器件，该器件包括被源区围绕的沟道闸极，该源区被包围在漏区上方的体区内，该漏区设置在衬底的底部表面上。所述沟道闸极进一步包括至少两个相互绝缘的沟道填充节段，底部绝缘层围绕底部沟道填充节段，该底部沟道填充节段在附接到在底部沟道填充节段的顶表面上方延伸的沟道的侧壁的底部绝缘层的顶部上具有鸟喙形层。