半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法包括：提供一基底，其上依序形成一闸极材料层、一研磨停止层及一抗反射层；图案化该抗反射层、该研磨停止层及该闸极材料层以形成复数个闸极结构；形成一图案化罩幕层于一位元线接触插塞预定区两侧之该抗反射层上；去除未被该图案化罩幕层覆盖之该抗反射层及该研磨停止层；形成一介电层覆盖该些闸极结构；平坦化该介电层并且去除该位元线接触插塞预定区两侧之该抗反射层；在该介电层中形成一位元线接触插塞。