矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明系提供一种不会产生Slip位错，且具有吸气效果的矽晶圆。该矽晶圆从矽单晶锭切割后，系以利用90°光散射法之光散射缺陷为零的层被形成于距离晶圆表面25μm以上、未满100μm的深度区域，且存在有利用90°光散射法之光散射缺陷密度为1×10#sP!8#eP!／cm#sP!3#eP!以上的层被形成于距离晶圆表面100μm以上之深度区域的方式进行热处理。