可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体及其制造方法

摘要

一种可增进照光效能的内嵌式光抹除记忆体，包括基底、记忆体元件、多层介电层、多层顶盖层及至少三层金属层。基底包括记忆体区与核心电路区。记忆体元件包括选择闸极与浮置闸极，选择闸极与浮置闸极相邻配置于记忆胞区中的基底上。介电层配置于基底上且覆盖记忆体元件，介电层中具有第一开口，且第一开口位于浮置闸极上方。各顶盖层分别配置于各介电层上。金属层配置于核心电路区中的介电层中。