| 发明名称 | 提高介电膜的材料性能的活化化学方法 | ||
| 摘要 | 用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露到能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN101312129A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810092038.0 | 申请日期 | 2008.02.15 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | S·J·韦格尔;M·L·奥奈尔;R·N·夫尔蒂斯;D·西纳托尔 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 1、用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法，其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数，该方法包括如下步骤：将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触；和将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源，其中在该含硅介电材料层暴露于能量源之后，该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||