| 发明名称 | 减少制程环境内的杂质的装置及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种减少制程环境内的杂质的装置及其方法。该装置包含置于制程环境中用于半导体制程的待制物，设置于待制物上的保护结构，此保护结构为避免制程环境内的杂质微粒污染上述待制物，及位于此保护结构表面任一区域的吸附膜，此吸附膜为吸附处于制程环境内的杂质微粒。本发明更提供一种减少制程环境内的杂质的方法，其包含在用于半导体制程的待制物上形成一保护结构，以避免制程环境内的杂质微粒污染待制物，且在此保护结构表面的任一区域形成吸附膜，以吸附处于制程环境内的杂质微粒。 | ||
| 申请公布号 | CN100437899C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200610002910.9 | 申请日期 | 2006.01.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑智文;陈信元;何俊宜;陈崇仁;梁硕仁;李智富 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);G03F1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种减少制程环境内的杂质的方法，其特征在于，该减少制程环境内的杂质的方法包括：在用于半导体制程的一待制物上形成一保护结构，以避免制程环境内的杂质微粒污染该待制物；及在该保护结构表面的任一区域形成一吸附膜，以吸附处于该制程环境内的杂质微粒。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||