半导体器件及制造该器件的方法

摘要

一种半导体器件包括具有SRAM结构的存储单元，该SRAM结构包括一对驱动晶体管，该对驱动晶体管之一的栅电极通过其上提供有电阻器的节点互连连接到该对驱动晶体管的另一个的漏极。驱动晶体管之一的栅电极具有自对准硅化物结构，该栅电极包括半导体层和在除连接区之外的半导体层表面上形成的硅化物层。在连接区处的栅电极上形成的节点互连与栅电极连接。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有不形成自对准硅化物的连接区的导电层，所述导电层还具有与所述导电层接触的自对准硅化物结构，所述自对准硅化物结构围绕至少部分所述连接区；接触栓，其底表面形成在所述连接区上且其侧表面与所述自对准硅化物结构接触；以及连接到所述接触栓的互连层。