| 发明名称 | 检视晶片缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一种检视晶片缺陷的方法，可以通过双粒子束聚焦离子束显微切割仪来检视晶片样本水平切面的缺陷。首先，将晶片样本切割为适当大小的试片，使其适合于双粒子束聚焦离子束显微切割仪的分析腔体，然后在试片边缘标示激光标签，使双粒子束聚焦离子束显微切割仪可以据以设定共轭高度，以直接分析试片的水平切面。 | ||
| 申请公布号 | CN101311705A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710105052.5 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈建福;林文彬 |
| 分类号 | G01N21/95(2006.01);G01R31/311(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | G01N21/95(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种检视晶片缺陷的方法，适用于双粒子束聚焦离子束显微切割仪，包括下列步骤：切割晶片样本成适当尺寸的试片；标示激光标签于该试片的元件面；使该试片的该元件面与水平面呈现直立角度；根据该激光标签，设定该双粒子束聚焦离子束显微切割仪的共轭高度；以及分析该试片的水平切面影像，以检视该试片的缺陷。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||