| 发明名称 | 包含氧化镍钴切换元件的存储单元 | ||
| 摘要 | 镍与钴的氧化物具有比氧化镍或氧化钴低的电阻率。通过施加适合的电脉冲，可使氧化镍及氧化钴可逆地在两种或两种以上稳定的电阻率状态之间切换。预期包括镍与钴两者的氧化物或(NixCoy)O将以比氧化镍或氧化钴的切换电压及/或电流低的电压及/或电流在电阻率状态之间进行切换。可将(NixCoy)O层与二极管或晶体管配对以形成非易失性存储单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101313423A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200680043951.0 | 申请日期 | 2006.11.20 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | S·布拉德·赫纳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种存储单元，其包含：电阻切换元件，所述电阻切换元件包含(NixCoy)O层，其中x+y＝1且x及y均不为0。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||