| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体发光元件(1)中，在窗口层(半导体层)(15)的上表面上形成具有圆柱形状且分散成岛状的多个凸台(16)以及凹陷(17)。在凸台(16)的上表面上形成接触电极(21)。在凹陷(17)中形成透明介质膜(22)。在透明介质膜(22)和接触电极(21)上形成透明导体膜(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN100438099C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200510109799.9 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 室伏仁;武田四郎 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光元件，包括：半导体基底(10)，其一个表面上具有半导体层(15)，其中该半导体层(15)的一个表面包括光学窗口，在所述半导体层(15)的所述一个表面上形成多个凸台(16)和凹陷(17)；介质膜(22)，具有透光性并且为填充所述凹陷(17)而形成；导体膜(23)，具有透光性并且形成在所述半导体层(15)的形成所述凸台(16)的一个表面上；以及电极(26)，形成在所述半导体基底(10)的其他面上，其中所述导体膜(23)和所述电极(26)通过所述凸台(16)彼此电连接，在所述半导体层(15)内，所述凹陷(17)下方流过的电流比所述凸台(16)下方流过的电流少。 | ||
| 地址 | 日本埼玉 | ||