Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements in einem Substrat

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements in einem Substrat umfasst ein Bilden einer Mehrzahl von Mikrohohlräumen in einem Substrat, ein Erzeugen einer Amorphisierung des Substrats, um kristallographische Defekte zu bilden, und eine Dotierung des Substrats mit Dotierungsatomen, ein Aufbringen einer amorphen Schicht auf das Substrat und ein Ausheilen des Substrats, derart, dass zumindest ein Teil der kristallographischen Defekte unter Verwendung der Mikrohohlräume beseitigt wird. Das Halbleiterelement wird unter Verwendung der Dotierungsatome gebildet.