发明名称 | 一种单粒子锁定防护电路 | ||
摘要 | 本实用新型是一种单粒子锁定防护电路,涉及一种用于空间辐射环境下CMOS器件的抗单粒子锁定防护,属于辐射电子学领域。本实用新型由开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、电阻、电容组成。采用开关三极管对器件供电,利用电流传感器和电压比较器实时监测供电回路中的电流,当电路中出现了不同于器件正常工作电流的异常大电流后,电压比较器立即通过反馈回路会关闭器件输入电源,当电路中的异常大电流消失后,断开反馈回路,恢复器件正常供电。本实用新型能在器件发生单粒子锁定现象时有效抑制单粒子锁定现象,可作为CMOS器件在辐射环境下抗单粒子锁定的防护手段,减小CMOS器件在空间使用的风险。 | ||
申请公布号 | CN201153250Y | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
申请号 | CN200720190996.2 | 申请日期 | 2007.12.28 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 发明人 | 杨世宇;曹洲;薛玉雄;田恺 |
分类号 | H03K17/60(2006.01) | 主分类号 | H03K17/60(2006.01) |
代理机构 | 北京理工大学专利中心 | 代理人 | 张利萍 |
主权项 | 1、单粒子锁定防护电路,其特征在于:它由开关三极管、电流传感器、触发器、电压比较器、电阻、电容、CMOS器件组成;其连接关系为第一开关三极管(T1)的集电极与第一电阻(R1)的一端并联,同电源连接,另一端与第二开关三极管(T2)集电极和第一开关三极管(T1)的基极相连,第一开关三极管(T1)的发射极与电流传感器相连;第二开关三极管(T2)的基极通过单稳态脉冲展宽电路、电压比较器和第二电阻(R2)相连,并同CMOS 件的电源输入端相连。 | ||
地址 | 730000甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |