| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包括(100)取向和(101)取向的混合取向。 | ||
| 申请公布号 | CN101310371A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200780000102.1 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 平尾孝;古田守;古田宽;松田时宜;平松孝浩 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01) | 主分类号 | H01L21/363(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||