发明名称 电子发射元件、电子源和图像显示装置的制造方法
摘要 提供制造工艺是容易的、电子束直径的控制性是良好的电子发射元件的制造方法。上述电子发射元件的制造方法具有下述工序:(A)在基板上配置由覆盖上述基板的第1导电层、覆盖上述第1导电层并包含构成电子发射体的材料的至少一部分的层、覆盖上述包含构成电子发射体的材料的至少一部分的层的保护层、覆盖上述保护层的第2导电层、覆盖上述第2导电层的绝缘层和覆盖上述绝缘层的第3导电层构成的构件的工序;(B)利用干法刻蚀形成从上述第3导电层的表面延伸到上述保护层的开口的工序;以及(C)通过经上述开口对上述保护层进行湿法刻蚀,使上述包含构成电子发射体的材料的至少一部分的层的一部分在上述开口部内露出的工序。
申请公布号 CN100435262C 申请公布日期 2008.11.19
申请号 CN200410001835.5 申请日期 2004.01.14
申请人 佳能株式会社 发明人 寺本洋二
分类号 H01J9/02(2006.01) 主分类号 H01J9/02(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种电子发射元件的制造方法,该电子发射元件具有:阴极电极;配置在该阴极电极上的电子发射膜;将保护层、聚束电极、绝缘层和栅电极依次层叠在上述电子发射膜上的层叠体;以及贯通上述层叠体并使上述电子发射膜露出的开口,其特征在于,该制造方法具有下述工序:(A)准备基板的工序,该基板在其表面上具有层叠体,该层叠体将构成阴极电极的第1导电层、电子发射膜、保护层、构成聚束电极的第2导电层、绝缘层和构成栅电极的第3导电层依次层叠;(B)利用干法刻蚀形成从上述第3导电层的表面到达上述保护层的开口的工序;以及(C)将具有上述开口并且由上述保护层、上述第2导电层、上述绝缘层和上述第3导电层构成的层叠体作为掩模,对上述保护层进行湿法刻蚀,从而使上述电子发射膜的一部分在上述开口内露出的工序。
地址 日本东京