用于环形源反应器的具有高均匀腔室干燥工艺的等离子体浸没离子注入

摘要

本发明提供了一种用于环形源反应器的具有高均匀腔室干燥工艺的等离子体浸没离子注入方法，该腔室具有顶部侧壁和柱状侧壁以及面向该顶部的支撑底座。该方法包括在晶片支撑底座的外围上设置具有多个气体注入孔的气体分配环，该孔从晶片支撑底座径向朝外。含硅气体通过该环的气体分配孔导入，以建立含硅气体的径向朝外的流型。反应器包括在顶部中近邻相对侧部的侧壁的成对管道口，并且各个外部管道通常横跨腔室的直径并耦接到每对管道口。该方法进一步包括通过管道口将氧气注入到腔室，以在腔室中建立氧气的轴向向下的流型。RF功率耦合到每个管道的内部，以产生穿过腔室的Si_xO_y物种的环形等离子体流，从而在腔室内的表面上沉积Si_xO_y材料的干燥层，同时使底座没有晶片以便暴露底座的晶片支撑表面。

主权项

1.一种用于在具有顶部和柱状侧壁以及面向该顶部的晶片支撑底座的反应器腔室中执行等离子体浸没离子注入的方法，包括：在晶片支撑底座的外围上设置具有多个气体注入孔的气体分配环，所述孔从晶片支撑底座径向朝外；将含硅气体通过所述环的气体分配孔导入，以建立所述含硅气体的径向朝外的流型；在顶部中近邻相对侧部的所述侧壁设置成对管道口，以及设置独立的外部管道，其通常横跨腔室的直径并耦接到所述每对管道口；通过管道口将氧气注入到所述腔室，以在所述腔室中建立氧气的轴向向下流型；将射频功率耦合到每个所述管道的内部，以产生穿过所述腔室的SixOy物种的环形等离子体流，从而在所述腔室内的表面上沉积SixOy材料层，同时使底座没有晶片以便暴露所述底座的晶片支撑表面；将晶片放置在所述底座上；将离子注入前驱气体通过延伸跨越所述顶部的气体分配板导入腔室；以及将射频功率耦接到每个所述管道的内部，以产生穿过所述腔室的注入物种电流的环形等离子体，以便将所述注入物种注入到所述晶片中。