发明名称 | 一种β-SiC纳米线的合成方法 | ||
摘要 | 一种合成β-SiC纳米线的方法,采用硅藻土与硅粉在高温下反应生成的SiO为硅源,以生物活性炭薄片作为碳源,在1200~1400℃的温度范围内通过碳热还原反应在生物活性炭薄片表面形成β-SiC纳米线。本发明采用薄片生物活性炭可以通过竹材、木材等天然可再生植物碳化后制得,原材料来源广泛,成本低廉。生物活性炭比表面积高,表面活性大,在相对较低的温度下即可与SiO发生反应形成β-SiC纳米线。生物活性炭中天然存在的金属离子可以作为催化剂促进β-SiC纳米线的生长。采用薄片生物活性炭可以避免颗粒状SiC的形成,为高纯度β-SiC纳米线的制备提供了有利条件。 | ||
申请公布号 | CN101306816A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
申请号 | CN200810150116.8 | 申请日期 | 2008.06.24 |
申请人 | 陕西科技大学 | 发明人 | 李艳;黄剑锋;曹丽云;吴建鹏;卢靖 |
分类号 | C01B31/36(2006.01) | 主分类号 | C01B31/36(2006.01) |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张震国 |
主权项 | 1、一种β-SiC纳米线的合成方法,其特征在于:1)生物活性炭薄片的制备:首先以木材或竹材天然可再生植物为原料,将其加工成厚度为1mm~3mm的薄片,将该薄片经水洗、干燥后在900℃~1000℃下碳化,升温速率为30~90℃/h,保温8~12小时得到生物活性炭薄片;2)反应粉体的准备:将硅藻土与硅粉按1∶1~1.5∶1的质量比进行混合,球磨;3)β-SiC纳米线的制备:将反应粉体放置在刚玉坩埚或石墨坩埚中,并将生物活性炭薄片插入坩埚中,在坩埚口覆盖上碳毡,将坩埚放入真空烧结炉中升温至1200℃~1400℃,升温速率为250℃/h,保温1~2小时,炉压控制在100Pa以下,取出生物活性炭薄片,将薄片表面的产物取下即可得到β-SiC纳米线。 | ||
地址 | 710021陕西省西安市未央区大学园陕西科技大学 |