半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分、以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。

主权项

1、一种半导体存储器件，其包括一晶体管和一数据存储部分，该半导体存储器件包括：一加热部分，其被置于该晶体管与该数据存储部分之间；以及一金属互连层，其与该数据存储部分相连接，其中，该数据存储部分包括一硫属化物材料层，该硫属化物材料层由于该加热部分的加热而发生相变，从而在其中存储数据，以及该加热部分包括：一通孔，其暴露部分该晶体管；一隔离壁，其形成在该通孔的内壁上；以及一加热材料层，其填充该隔离壁，其中，该加热材料层的顶面通过等离子氧化工艺得以氧化。