制备半导体基板的方法

摘要

本发明公开了一种制备氮化镓系半导体基板的方法，其步骤是先自磊晶基板向上形成多数个间隔散布的凸块，然后以横向磊晶方式自多数个凸块端部形成连接该多数个凸块端部并与磊晶基板、多数个凸块墩部共同界定出空间的基础层，接着累积增厚而成所需的半导体基板，最后破坏该多数个凸块墩部，即可分离制得半导体基板，由于本发明借由多数个凸块形成具有孔洞结构的层体来制造半导体基板，因此可以避免磊晶基板的晶格缺陷延伸而获得高品质的半导体基板，同时可降低分离磊晶基板时的制程成本并增加整体制程良率。

主权项

1.一种制备半导体基板的方法，其特征在于：该方法包括：一个凸块形成步骤，是自一块磊晶基板向上形成多数个呈现间隔散布的凸块，且该每一凸块具有一自该磊晶基板向上形成的墩部，及一自该墩部向上形成的端部；一个横向磊晶步骤，是以横向磊晶方式自该多数个凸块的端部形成一层连接该多数个凸块端部并与该磊晶基板、多数个凸块的墩部共同界定一个空间的基础层；一个增厚步骤，是累积增厚该层基础层至预定厚度而成该半导体基板；及一个分离步骤，是破坏该多数个凸块的墩部使该磊晶基板与该半导体基板分离，制得该半导体基板。