发明名称 适用于闪存的数据结构及其数据写入方法和数据读取方法
摘要 本发明披露了一种适用于闪存的数据结构、及其数据写入方法及数据读取方法,用以在闪存的一区块(block)的连续地址的第一区段(sector)及第二区段里,分别储存512字节的数据及该数据经过6位错误修正码(ECC)编码所产生的冗余码信息。而此区块的逻辑区块地址信息分为两部分,并分别储存于第一区段及第二区段。
申请公布号 CN101308702A 申请公布日期 2008.11.19
申请号 CN200710103471.5 申请日期 2007.05.18
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 倪剑强;何东宇;廖峻廷
分类号 G11C16/10(2006.01);G11C29/24(2006.01) 主分类号 G11C16/10(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 蒲迈文;黄小临
主权项 1.一种数据结构,适用于一闪存的一区块的连续地址的第一区段及第二区段,该数据结构包含:一第一数据储存区,配置于该第一区段,用以储存一第一数据;一第二数据储存区,配置于该第二区段,用以储存一第二数据;一第一备用储存区,配置于该第一区段,用以储存一第一部分逻辑区块地址信息及一第一冗余码信息;以及一第二备用储存区,配置于该第二区段,用以储存一第二部分逻辑区块位址信息及一第二冗余码信息;其中,该第一部分逻辑区块地址信息及该第二部分逻辑区块地址信息可组合成该区块的逻辑区块地址信息,而该第一冗余码信息及该第二冗余码信息分别由该第一数据及该第二数据经过6位错误修正码编码所产生。
地址 中国台湾新竹科学园区