| 发明名称 | 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H<SUB>2</SUB>SO<SUB>4</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>和H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>两种组分组成，各组分的体积比为H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>∶H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。 | ||
| 申请公布号 | CN100435292C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200610111350.0 | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 张晶;高欣;姜立国;李辉;曲轶;刘国军;薄报学 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);C23F1/16(2006.01);C09K13/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人 | 曲博 |
| 主权项 | 1、一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，其特征在于，所采用腐蚀液由重量含量为85％的H3PO4和重量含量为30％的H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝＝10～25∶1；腐蚀过程在30～60℃之间的某一温度下进行；同时腐蚀液在外力作用下在容器内沿同一方向旋转。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 | ||