| 发明名称 | 磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。 | ||
| 申请公布号 | CN101308901A | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200810109276.8 | 申请日期 | 2008.03.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 吉川将寿;北川英二;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C7/22(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1、一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：第一磁性层，具有不变的磁化方向；第二磁性层，具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni组成的组中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au组成的组中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn组成的组中选择的至少一种元素；以及第一隔离层，在第一磁性层和第二磁性层之间形成，并且由非磁性材料构成，其中流经第一磁性层、第一隔离层和第二磁性层的双向电流使得第二磁性层的磁化方向可变。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||