| 发明名称 | 蚀刻方法及记忆媒体 | ||
| 摘要 | 本发明之蚀刻方法系藉由电浆而对基板上形成之加氟碳膜进行蚀刻，其包括：藉由含氧处理气体之电浆进行蚀刻之第1阶段；及藉由含氟处理气体之电浆进行蚀刻之第2阶段。 | ||
| 申请公布号 | TW200845191 | 申请公布日期 | 2008.11.16 |
| 申请号 | TW097104925 | 申请日期 | 2008.02.05 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 野泽俊久;宫谷光太郎;堀寿靖;广濑繁和 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||